- пробой при обратном напряжении
-
пробой при обратном напряжении
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
- back-voltage breakdown
Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.
ТЕПЛОВОЙ ПРОБОЙ — (электротепловой пробой) резкое увеличение электропроводности диэлектрика (или полупроводника) при прохождении через него электрич. тока, обусловленное джоулевым разогревом (см. Джоулевы потери )и нарушением теплового равновесия образца с… … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
СТАБИЛИТРОН — (от лат. stabilis устойчивый, постоянный) полупроводниковый полупроводниковый прибор, предназначенный для стабилизации напряженияв электрич. цепях (см. Стабилизация тока и напряжения). Представляетсобой диод, работающий при обратном напряжении;… … Физическая энциклопедия
Селеновый выпрямитель — (селеновый вентиль) полупроводниковый диод на основе селена. Содержание 1 Устройство 2 Параметры 3 Особенности … Википедия
Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) … Википедия
ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время включения Turn on time tвкл… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 25529 82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z Spannung der Z… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации